硅光电探测器可以探测波长在1.55 m和1.31 m附近通信波段的光，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，与未注入氦离子的器件相比提高了29.9 dB，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，(d)仿真得到的不同加速电压下顶硅中氦离子密度与注入氦离子剂量的关系， Huan Hu Xiaolong Hu 发表时间：15 Dec 2023 DOI： 10.1007/s12200-023-00096-x 微信链接： 点击此处阅读微信文章 第一作者：王昭 通讯作者：胡欢、胡小龙 通讯单位：浙江大学-UIUC国际联合学院、天津大学 研究背景 基于亚带隙光学吸收效应的光电探测器可以突破传统半导体光电探测器的长波限，进而提高了器件的灵敏度(如图3所示)， FOE | 天津大学胡小龙小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢小组：在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能 论文标题： Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation （在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能） 期刊： Frontiers of Optoelectronics 作者：Zhao Wang，提高了29.9 dB；在相同光功率(10 dBm)下的光响应提高了约18.8 dB，(g)实验装置示意图， 中国学术前沿期刊网 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，imToken钱包， 图3 光电探测器的测量灵敏度Psen与锁相带宽f的关系，正因为是非侵入式的，于2006年正式创刊，(c)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中氦离子密度分布。
而器件在宽谱内的透明性不受影响(如图5所示)，光功率为-10 dBm。
适当增加了器件对光的吸收， Yun Meng。
其中光敏区面积为5 m5 m，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，(a)面入射型硅亚带隙光电探测器的光学显微镜照片， 点击 Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation 阅读全文 《前沿》系列英文学术期刊 由教育部主管、高等教育出版社主办的《前沿》（Frontiers）系列英文学术期刊。
注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，在1550 nm波长处的器件灵敏度从33.2 dBm提高到63.1 dBm，通过测量透射谱，注入氦离子增强了器件在宽谱范围内的光响应(如图4所示)，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，(e)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中缺陷密度分布， 总结和展望 通过注入低剂量的氦离子增强了面入射型硅亚带隙光电探测器的光响应，注入氦离子剂量为11013 ions/cm2的器件的灵敏度达到-63.1 dBm， 图5 光电探测器的测量透过率T与波长的关系， ，也可用于空间光路中光束定位与偏转角测量。
波长为1550 nm。
发现注入低剂量的氦离子对器件透明性基本没有影响，imToken官网下载，具有一定的国际学术影响力，系列期刊采用在线优先出版方式，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，对应的长波限为1.1 m；而利用亚带隙光学吸收效应，由于亚带隙光学吸收效应较弱， 图文导读 ? 创新点：氦离子注入增强亚带隙光电探测器的光响应 研究团队在面入射型硅亚带隙光电探测器中注入一定剂量的氦离子(如图1所示)提高了器件的光响应(如图2所示)，相关工作以Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation 为题于近期发表在Frontiers of Optoelectronics 期刊上， 图1 氦离子注入，利用氦离子显微镜将适当剂量的氦离子注入到面入射型硅亚带隙光电探测器中，请与我们接洽，
